RM30N100T7中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	RM30N100T7
功能描述	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
絲印標(biāo)識	30N100
封裝外殼	TO-247
文件大小	727.27 Kbytes
頁面數(shù)量	7 頁
生產(chǎn)廠商	Rectron Semiconductor
企業(yè)簡稱	RECTRON
中文名稱	Rectron Semiconductor官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
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更新時間	2025-3-20 17:57:00
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General Features

VDS = 100V,ID =30A

Special process technology for high ESD capability

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high EAS

Excellent package for good heat dissipation

Halogen-free

RDS(ON) < 50mΩ @ VGS=10V (Typ:40mΩ)

RDS(ON)

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