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RM33N100T2

Marking：33N100；Package：TO-220-3L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

GeneralFeatures VDS=100V,ID=33A SpecialprocesstechnologyforhighESDcapability HighdensitycelldesignforultralowRdson Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent GoodstabilityanduniformitywithhighEAS Excellentpackageforgoodheatdissipation RDS(ON)

RECTRON

Rectron Semiconductor

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更多RM33N100T2供應商 更新時間2025-1-29 11:06:00

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