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RM35N80D3中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

RM35N80D3
廠商型號(hào)

RM35N80D3

功能描述

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

15N08

封裝外殼

PDFN3.3X3.3-8L

文件大小

407.38 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-5 18:49:00

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RM35N80D3規(guī)格書詳情

Features

Advanced trench cell design

Low Thermal Resistance

BV ≥ 80 V ID ≤ 15 A Ptot $ 35 W

RDS(ON) ≤ 15.5 m2 @ VGs = 10 V

RDS(ON) ≤ 18.5 mQ @ VGs = 6 V

RDS(ON) ≤ 22.5 m2 @ VGs = 4.5 V

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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