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RM35P100T2中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RM35P100T2
廠商型號

RM35P100T2

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識

35P100

封裝外殼

TO-220-3L

文件大小

344.45 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-27 16:20:00

RM35P100T2規(guī)格書詳情

General Features

VDS =-100V,ID =-35A

RDS(ON) <50m Ω @ VGS=-10V

Super high dense cell design

Advanced trench process technology

Reliable and rugged

High density celldesign for ultra low on-resistance

RDS(ON)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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