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RM42P30DN中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	RM42P30DN
功能描述	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
絲印標識	B3105
封裝外殼	DFN3x3EP
文件大小	396.09 Kbytes
頁面數(shù)量	9 頁
生產(chǎn)廠商	Rectron Semiconductor
企業(yè)簡稱	RECTRON
中文名稱	Rectron Semiconductor官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間	2025-5-19 8:00:00
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General Features

VDS =-30V,ID =-42A

RDS(ON) < 14mΩ @ VGS=-10V

RDS(ON) < 22mΩ @ VGS=-4.5V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high EAS

Excellent package for good heat dissipation

Special process technology for high ESD capability

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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