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RM47N600T2

Power Field Effect Transistor

FEATURES RobustHighVoltageTermination AvalancheEnergySpecified Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoa DiscreteFastRecoveryDiode DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircuits lossandVos(on)SpecifiedatElevatedTemperature. IsolatedMountingHoleReducesMounting

RECTRON

Rectron Semiconductor

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多RM47N600T2供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-16 11:06:00