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RM47N600T7中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RM47N600T7
廠商型號

RM47N600T7

功能描述

Power Field Effect Transistor

文件大小

456.22 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-28 19:22:00

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RM47N600T7規(guī)格書詳情

FEATURES

Robust High Voltage Termination

Avalanche Energy Specified

Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a

Discrete Fast Recovery Diode

Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits

loss and Vos(on) Specified at Elevated Temperature.

Isolated Mounting Hole Reduces Mounting Hardware

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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