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RM50N60TI中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

RM50N60TI
廠商型號(hào)

RM50N60TI

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

50N60

封裝外殼

TO-220F

文件大小

424.18 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-24 23:21:00

RM50N60TI規(guī)格書詳情

General Features

Vds =60Vo =50A

Rds(on) <20m? @ Vos=10V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high Exs

Excellent package for good heat dissipation

Special process technology for high ESD capabily

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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