RM5N150S8中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
RM5N150S8 |
| 功能描述 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | SOP-8 |
| 文件大小 |
185.82 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Rectron Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
RECTRON |
| 中文名稱 | Rectron Semiconductor官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-21 15:49:00 |
| 人工找貨 | RM5N150S8價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
RM5N150S8規(guī)格書(shū)詳情
General Features
VDS = 150V,ID =4.6A
RDS(ON) < 75mΩ @ VGS=10V (Typ:63mΩ)
RDS(ON) < 88mΩ @ VGS=4.5V (Typ:70m Ω )
Special process technology for high ESD capability
High density cell design for ultra low Rdson
Fully characterized avalanche voltage and current
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
亞成微 |
23+ |
SOT23-6 |
7500 |
亞成微全系列在售 |
詢價(jià) | ||
WSTR |
24+ |
62 |
詢價(jià) | ||||
BUSSMANN/巴斯曼 |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
5000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保 |
詢價(jià) | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOP-8 |
986966 |
國(guó)產(chǎn) |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
64000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
Eaton |
22+ |
NA |
168 |
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詢價(jià) |
