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RM80N100T2

Marking：80N100；Package：TO-220-3L；N-Channel Super Trench Power MOSFET

GeneralFeatures VDS=100V,ID=80A RDS(ON)=7.2mΩ(typical)@VGS=10V RDS(ON)=9.5mΩ(typical)@VGS=4.5V ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) Verylowon-resistanceRDS(on) 175°Coperatingtemperature Pb-freeleadplating 100%UIStested

RECTRON

Rectron Semiconductor

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更多RM80N100T2供應(yīng)商 更新時間2025-3-4 11:06:00

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