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RM80N60LD中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

RM80N60LD
廠商型號(hào)

RM80N60LD

功能描述

Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

80N60

封裝外殼

TO-252-2L

文件大小

330.27 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-11 20:00:00

RM80N60LD規(guī)格書詳情

General Features

VDS =60V,ID =80A

RDS(ON) <8.5mΩ @ VGS=10V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high EAS

Excellent package for good heat dissipation

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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