RM8810中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
RM8810 |
| 功能描述 | N-channel Double MOSFET in a SOT23-6 Plastic Package. It is ESD protested. |
| 絲印標(biāo)識 | |
| 封裝外殼 | SOT23-6 |
| 文件大小 |
484.47 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Rectron Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
RECTRON |
| 中文名稱 | Rectron Semiconductor官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-28 16:20:00 |
RM8810規(guī)格書詳情
Features
advanced trench technology to provide excellent RDS(on), low gate charge.
VDSS=20V VGSS=±12V ID=7A
RDS(ON)=16m(typ.)@VGS=4.5V
RDS(ON)=19m(typ.)@VGS=2.5V
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHIL |
00+ |
250 |
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詢價 | |||
REACTORMICROELECTRONICS亞成微 |
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DIP |
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PMC |
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BGA |
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