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RMBA09501RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書PDF中文資料

RMBA09501
廠商型號

RMBA09501

參數(shù)屬性

RMBA09501 封裝/外殼為12-SMD 模塊;包裝為卷帶(TR);類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器;產(chǎn)品描述:IC AMP CELL 849MHZ-869MHZ 12SMD

功能描述

Cellular 2 Watt Linear GaAs MMIC Power Amplifier

封裝外殼

12-SMD 模塊

文件大小

95.83 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導體

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-11 23:00:00

RMBA09501規(guī)格書詳情

General Description

The RMBA09501 is a highly linear Power Amplifier. The two stage circuit uses our pHEMT process. It is designed for use as a driver stage for Cellular base stations, or as the output stage for Micro- and Pico-Cell base stations. The amplifier has been optimized for high linearity requirements for CDMA operation.

Features

? 2 Watt Linear output power at 36dBc ACPR1 for CDMA operation

? Small Signal Gain of > 30dB

? Small outline SMD package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    RMBA09501

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 頻率:

    849MHz ~ 869MHz

  • 增益:

    35dB

  • 噪聲系數(shù):

    6dB

  • 射頻類型:

    手機,CDMA

  • 電壓 - 供電:

    7V

  • 電流 - 供電:

    150mA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    12-SMD 模塊

  • 供應商器件封裝:

    12-SMD

  • 描述:

    IC AMP CELL 849MHZ-869MHZ 12SMD

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