RN1101MFV,L3F_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置-Toshiba Semiconductor and Storage

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原廠料號:RN1101MFV,L3F品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

資料說明:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

RN1101MFV,L3F是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝SOT-723的RN1101MFV,L3F晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置預(yù)偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器,設(shè)計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點(diǎn)附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作,并產(chǎn)生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預(yù)偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量,從而可降低項目成本。

  • 芯片型號:

    rn1101mfv,l3f

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  • 資料說明:

    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    RN1101MFV,L3F

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 10mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 500μA,5mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-723

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    VESM

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA
20+
SOT723
32970
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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TOSHIBA/東芝
23+
SOT723
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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Toshiba Semiconductor and Stor
2022+
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990000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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