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RN1110MFV 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置 TOSHIBA/東芝

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  • 廠家型號(hào)：

    RN1110MFV

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    TOSHIBA

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    35200

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-723

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-3-9 11:16:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：RN1110MFV品牌：TOSHIBA

一級(jí)代理/放心采購(gòu)

  • 芯片型號(hào)：

    RN1110MFV

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    TOSHIBA【東芝】詳情

  • 廠商全稱：

    Toshiba Semiconductor

  • 中文名稱：

    株式會(huì)社東芝

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    6 頁(yè)

  • 文件大小：

    361.91 kb

  • 資料說明：

    TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)(Bias Resistor built-in Transistor)

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    RN1110MFV,L3F

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    120 @ 1mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 500μA，5mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-723

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    VESM

  • 描述：

    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    瀚佳科技(深圳)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生李小姐

  • 手機(jī)：

    13827426716/13480654098

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23140719/23915992

  • 傳真：

    0755-23140719

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振華路中航苑鼎城大夏1607室

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