RN1111MFV分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
RN1111MFV |
參數(shù)屬性 | RN1111MFV 封裝/外殼為SOT-723;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM |
功能描述 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)(Bias Resistor built-in Transistor) |
文件大小 |
361.91 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
中文名稱 | 株式會社東芝官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2024-12-23 22:58:00 |
RN1111MFV規(guī)格書詳情
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and
Driver Circuit Applications
? Ultra-small package, suited to very high density mounting
? Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts, so
enabling the manufacture of ever more compact equipment and lowering assembly
cost.
? A wide range of resistor values is available for use in various circuits.
? Complementary to the RN2110MFV, RN2111MFV
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
RN1111MFV,L3F
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
NPN - 預(yù)偏壓
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
120 @ 1mA,5V
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
300mV @ 250μA,5mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SOT-723
- 供應(yīng)商器件封裝:
VESM
- 描述:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
2016+ |
SOT-723 |
18660 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA/東芝 |
24+ |
NA |
990000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
11+ |
16000 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | |||
TOS |
1844+ |
NA |
9852 |
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詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
2020+ |
原廠封裝 |
350000 |
100%進(jìn)口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA/東芝 |
22+ |
SOT723 |
600000 |
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詢價(jià) | ||
SOT-423 |
23+ |
NA |
15659 |
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詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
22+23+ |
New |
32891 |
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詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
NA |
8560 |
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詢價(jià) | |||
TOSHIBA/東芝 |
1535+ |
8000 |
詢價(jià) |