首頁>RN1119MFV,L3F>詳情

RN1119MFV 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置 TOSHIBA/東芝

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    RN1119MFV

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    TOSHIBA

  • 庫存數(shù)量：

    7465

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT723

  • 生產(chǎn)批號：

    2016+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-25 14:06:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：RN1119MFV品牌：TOSHIBA

一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力

  • 芯片型號：

    RN1119MFV

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    TOSHIBA【東芝】詳情

  • 廠商全稱：

    Toshiba Semiconductor

  • 中文名稱：

    株式會社東芝

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    5 頁

  • 文件大?。?/span>

    149.76 kb

  • 資料說明：

    nullTOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    RN1119MFV,L3F

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    120 @ 1mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 500μA，5mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-723

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    VESM

  • 描述：

    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市威雅利發(fā)展有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    陳經(jīng)理

  • 手機：

    18938923845

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83137789/18938923845

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)華強北路1019號華強廣場A座12K

相近型號