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RN1132MFV 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置 原裝

RN1132MFV參考圖片

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原廠料號(hào)：RN1132MFV品牌：原裝

公司原裝現(xiàn)貨假一罰十特價(jià)歡迎來(lái)電咨詢(xún)

RN1132MFV是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置。制造商原裝/Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝NA/SOT-723的RN1132MFV晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置預(yù)偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器，設(shè)計(jì)用于在未施加輸入信號(hào)的情況下將器件保持在偏置或工作點(diǎn)附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作，并產(chǎn)生穩(wěn)定、無(wú)失真的輸出信號(hào)。預(yù)偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量，從而可降低項(xiàng)目成本。

  • 芯片型號(hào)：

    RN1132MFV

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    TOSHIBA【東芝】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Toshiba Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    株式會(huì)社東芝

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    6 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    177.6 kb

  • 資料說(shuō)明：

    TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    RN1132MFV,L3F

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類(lèi)型：

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    120 @ 1mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 500μA，5mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-723

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    VESM

  • 描述：

    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市萊克訊科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    劉安(公司現(xiàn)貨，原裝正品)

  • 手機(jī)：

    13434748719

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話：

    0755-83263931

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興西路華勻大廈1棟5樓B08

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