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RN1206中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RN1206
廠商型號

RN1206

功能描述

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

文件大小

251.29 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-24 20:00:00

晶體管資料

  • 型號:

    RN1206

  • 別名:

    RN1206三極管、RN1206晶體管、RN1206晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+R

  • 性質(zhì):

    表面帖裝型 (SMD)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    50V

  • 最大電流允許值:

    0.1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    RN1006,

  • 最大耗散功率:

    0.1W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    A-57

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.1

RN1206規(guī)格書詳情

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

And Driver Circuit Applications

? With built-in bias resistors.

? Simplify circuit design

? Reduce a quantity of parts and manufacturing process

? Complementary to RN2201~2206

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    RN1206

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全稱:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type(PCT Process)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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