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RN1414分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

RN1414
廠商型號

RN1414
參數(shù)屬性

RN1414 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
功能描述

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

272.41 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA【東芝】

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-24 22:30:00
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RN1414規(guī)格書詳情

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

and Driver Circuit Applications

● With built-in bias resistors

● Simplified circuit design

● Reduced number of parts and simplified manufacturing process

● Complementary to RN2414 to RN2418

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    RN1414,LF

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    50 @ 10mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 250μA，5mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    S-Mini

  • 描述：

    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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