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General-purposeMulti-functionTMRLinearSensor Description TMR2104TMRlinearsensoradoptsaunique push-pullWheatstonefullbridgestructureutilizing fourTMRsensorelements.ThisWheatstonefull bridgeprovidesdifferentialvoltageoutputwith excellenttemperaturestabilitywhentheapplied magneticfieldchangesparalleltothes | MULTIDIMENSIONMultiDimension Technology Co.,Ltd. 多維科技江蘇多維科技有限公司 | MULTIDIMENSION | ||
General-purposeMulti-functionTMRLinearSensor Description TMR2104TMRlinearsensoradoptsaunique push-pullWheatstonefullbridgestructureutilizing fourTMRsensorelements.ThisWheatstonefull bridgeprovidesdifferentialvoltageoutputwith excellenttemperaturestabilitywhentheapplied magneticfieldchangesparalleltothes | MULTIDIMENSIONMultiDimension Technology Co.,Ltd. 多維科技江蘇多維科技有限公司 | MULTIDIMENSION | ||
General-purposeMulti-functionTMRLinearSensor Description TMR2104TMRlinearsensoradoptsaunique push-pullWheatstonefullbridgestructureutilizing fourTMRsensorelements.ThisWheatstonefull bridgeprovidesdifferentialvoltageoutputwith excellenttemperaturestabilitywhentheapplied magneticfieldchangesparalleltothes | MULTIDIMENSIONMultiDimension Technology Co.,Ltd. 多維科技江蘇多維科技有限公司 | MULTIDIMENSION | ||
P-ChannelEnhancementModeVerticalDMOSFETs GeneralDescription Thislowthresholdenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighin | SUTEX Supertex, Inc | SUTEX | ||
P-ChannelEnhancementModeVerticalDMOSFETs GeneralDescription Thislowthresholdenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighin | SUTEX Supertex, Inc | SUTEX | ||
P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs GeneralDescription Thislowthresholdenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighin | SUTEX Supertex, Inc | SUTEX | ||
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POWER-DISTRIBUTIONSWITCHES | TI1Texas Instruments 德州儀器 | TI1 | ||
VAUXPOWER-DISTRIBUTIONSWITCHES | TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司 | TI | ||
VAUXPOWER-DISTRIBUTIONSWITCHES | TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司 | TI |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產廠家：
- 制作材料：
Si-P+R
- 性質：
表面帖裝型 （SMD）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
50V
- 最大電流允許值：
0.1A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數：
3
- 可代換的型號：
DTA144EE,
- 最大耗散功率：
0.4W
- 放大倍數：
- 圖片代號：
H-15
- vtest：
50
- htest：
999900
- atest：
0.1
- wtest：
0.4
詳細參數
- 型號：
RN2104
- 制造商：
TOSHIBA
- 制造商全稱：
Toshiba Semiconductor
- 功能描述：
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type(PCT Process)
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
5000 |
公司存貨 |
詢價 | ||||
TOSHIBA |
24+ |
SOT-523 |
4897 |
絕對原裝!現貨熱賣! |
詢價 | ||
TOSHIBA |
23+ |
SOT523 |
50000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
TOSHIBA |
2016+ |
SOT523 |
2700 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價 | ||
TOSHIBA |
23+ |
SOT-423 |
60000 |
全新原裝正品 |
詢價 | ||
TOSHIBA |
2020+ |
原廠封裝 |
350000 |
100%進口原裝正品公司現貨庫存 |
詢價 | ||
TOS |
1844+ |
NA |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!! |
詢價 | ||
TOSHIBA |
21+ |
SOT/323 |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價 | ||
TOSHIBA/東芝 |
18+ |
SOT423 |
12500 |
全新原裝正品,本司專業(yè)配單,大單小單都配 |
詢價 | ||
TOSHIBA |
2020+ |
423 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 |
