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RN2108ACT分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料

RN2108ACT
廠商型號

RN2108ACT
參數(shù)屬性

RN2108ACT 封裝/外殼為SC-101，SOT-883；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
功能描述

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
封裝外殼

SC-101，SOT-883
文件大小

150.69 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA【東芝】

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-7 11:36:00
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RN2108ACT規(guī)格書詳情

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and

Driver Circuit Applications

? Extra small package (CST3) is applicable for extra high density

fabrication.

? Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.

? Reducing the parts count enable the manufacture of ever more

compact equipment and save assembly cost.

? Complementary to RN1107ACT to RN1109ACT

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    RN2108ACT(TPL3)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    80 @ 10mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    150mV @ 250μA，5mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-101，SOT-883

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    CST3

  • 描述：

    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA/東芝
23+
NA
6000
詢價
TOSHIBA/東芝
23+
SOT-723
11200
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
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TOSHIBA
24+
SOT-523
200000
詢價

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