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RN2109分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書(shū)PDF中文資料

RN2109
廠商型號(hào)

RN2109

參數(shù)屬性

RN2109 封裝/外殼為SC-75,SOT-416;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,

功能描述

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

文件大小

177.71 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-12-25 13:00:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    RN2109

  • 別名:

    RN2109三極管、RN2109晶體管、RN2109晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+R

  • 性質(zhì):

    表面帖裝型 (SMD)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    50V

  • 最大電流允許值:

    0.1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    DTA144WE,

  • 最大耗散功率:

    0.4W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    H-15

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.4

RN2109規(guī)格書(shū)詳情

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

and Driver Circuit Applications

● With built-in bias resistors

● Simplify circuit design

● Reduce a quantity of parts and manufacturing process

● Complementary to RN1107~RN1109

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    RN2109,LXHF(CT

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 10mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 250μA,5mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-75,SOT-416

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SSM

  • 描述:

    AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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