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RN2312分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書(shū)PDF中文資料

RN2312
廠(chǎng)商型號(hào)

RN2312

參數(shù)屬性

RN2312 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM

功能描述

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

封裝外殼

SC-70,SOT-323

文件大小

163.41 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

TOSHIBA東芝

中文名稱(chēng)

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-31 22:58:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    RN2312

  • 別名:

    RN2312三極管、RN2312晶體管、RN2312晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)家:

  • 制作材料:

    Si-P+R

  • 性質(zhì):

    表面帖裝型 (SMD)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    50V

  • 最大電流允許值:

    0.1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    DTA124TU,

  • 最大耗散功率:

    0.4W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    H-15

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.4

RN2312規(guī)格書(shū)詳情

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit

● With built-in bias resistors.

● Simplify circuit design

● Reduce a quantity of parts and manufacturing process and miniaturize equipment.

● Various resistance values are available to suit various circuit designs.

● Complementary to RN1312 to RN1313

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    RN2312(TE85L,F)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類(lèi)型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 1mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 250μA,5mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SC-70

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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