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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
RN2318(TE85L,F)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
SI2318A	文件：1.82855 Mbytes Page：6 Pages	SOT-23-3LPlastic-EncapsulateMOSFETS Features VDS(V)=40V ID=5.6A(VGS=10V) RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
SI2318A	文件：2.09106 Mbytes Page：6 Pages	40VN-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=40V ●ID=5.6A(VGS=10V) ●RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
SI2318CD	文件：202.66 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel40V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI2318CD	文件：239.06 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel40V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集團(tuán)	TFUNK
SI2318CDS	文件：202.66 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel40V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?100Rgtested ?Materialcategorization:? fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?DC/DCconverters ?Loadswitch ?Portableandconsumerapplications	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI2318CDS	文件：236.22 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel40V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI2318DS	文件：160.86 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel40-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available ?TrenchFET?PowerMOSFET APPLICATIONS ?StepperMotors ?LoadSwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI2318DS	文件：198.43 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel40-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI2318DS	文件：194.02 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel40-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI2318DS	文件：79.57 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel40-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SM2318E	文件：2.2794 Mbytes Page：9 Pages	SIlIcon-ControlledHIgh-PowerPowerFactor	LINKAGELinkage Goston Electronics Co., LTD 鉦銘科電子深圳市鉦銘科電子有限公司	LINKAGE
SM2318NSA	文件：487.23 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SMG2318N	文件：492.26 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SMG2318N	文件：474.93 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SPA-2318	文件：268.64 Kbytes Page：6 Pages	2150MHz1WattPowerAmplifierwithActiveBias ProductDescription StanfordMicrodevices’SPA-2318isahighefficiencyGaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)amplifierhousedinalow-costsurface-mountableplasticpackage.TheseHBTamplifiersarefabricatedusingmolecularbeamepitaxialgrowthtechnologywhichproducesreliableand	STANFORD Stanford Microdevices	STANFORD
SPA-2318	文件：201.79 Kbytes Page：9 Pages	1700-2200MHz1WattPowerAmpwithActiveBias ProductDescription SirenzaMicrodevices’SPA-2318isahighefficiencyGaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)amplifierhousedinalow-costsurface-mountableplasticpackage.TheseHBTamplifiersarefabricatedusingmolecularbeamepitaxialgrowthtechnologywhichproducesreliableandc	SIRENZA SIRENZA MICRODEVICES	SIRENZA
SPA2318Z	文件：646.91 Kbytes Page：8 Pages	1700MHzto2200MHz1WATTPOWERAMPWITHACTIVEBIAS	RFMD RF Micro Devices	RFMD
SPA-2318Z	文件：201.79 Kbytes Page：9 Pages	1700-2200MHz1WattPowerAmpwithActiveBias ProductDescription SirenzaMicrodevices’SPA-2318isahighefficiencyGaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)amplifierhousedinalow-costsurface-mountableplasticpackage.TheseHBTamplifiersarefabricatedusingmolecularbeamepitaxialgrowthtechnologywhichproducesreliableandc	SIRENZA SIRENZA MICRODEVICES	SIRENZA
SPA2318ZSQ	文件：646.91 Kbytes Page：8 Pages	1700MHzto2200MHz1WATTPOWERAMPWITHACTIVEBIAS	RFMD RF Micro Devices	RFMD

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
RN2318(TE85L,F)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置
包裝：
卷帶（TR）
晶體管類型：
PNP - 預(yù)偏壓
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 10mA，5V
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
300mV @ 250μA，5mA
電流 - 集電極截止（最大值）：
500nA
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
SC-70，SOT-323
供應(yīng)商器件封裝：
SC-70
描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	RN2318(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Stor	24+	SC-70,SOT-323	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳市聯(lián)世界科技有限公司	RN2318(TE85L,F)	TOSHIBA	11+		3000	原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu)	詢價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	RN2318(TE85L,F)	Toshiba	2022+	原廠原包裝	8600	全新原裝支持表配單中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	RN2318(TE85L,F)		24+	N/A	72000	一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	RN2318(TE85LF)	TOSHIBA	1809+	SOT-323	6675	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	RN232-0.6/02	SCHAFFNER	23+	DIP4	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	RN232-0.6/02	SCHAFFNER	2022	DIP4	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳市誠(chéng)利順電子科技有限公司	RN232-0.6/02	SCHAFFNER	22+	DIP4	30000	十七年VIP會(huì)員,誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)，一手貨源，原裝正品可零售！	詢價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	RN232-0.6/02	SCHAFFNER	23+	NA/	738	優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票	詢價(jià)
上海市鑫鴻達(dá)電子	RN232-0.6-02	Schaffner	2022+		1	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)

更多RN2318供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-19 14:14:00

產(chǎn)品屬性

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