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RQA0003DNSTR-E中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RQA0003DNSTR-E
廠商型號

RQA0003DNSTR-E
功能描述

Silicon N-Channel MOS FET
文件大小

243.25 Kbytes
頁面數(shù)量

13 頁
生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS【瑞薩】

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-21 11:01:00
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RQA0003DNSTR-E規(guī)格書詳情

Features

? High Output Power, High Gain, High Efficiency

Pout = +36 dBm, Linear Gain = 19 dB, PAE = 65 (f = 520 MHz)

? Small Outline Package (WSON0303-2: 3.0 × 3.0 × 0.8mm)

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    RQA0003DNSTR-E

  • 制造商：

    RENESAS

  • 制造商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述：

    Silicon N-Channel MOS FET

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS/瑞薩
SOT-89
90000
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
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SOT89
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