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RQJ0603LGDQATL-E中文資料微碧半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RQJ0603LGDQATL-E
廠商型號

RQJ0603LGDQATL-E

功能描述

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件大小

1.12422 Mbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

VBSEMI微碧半導體

中文名稱

微碧半導體(臺灣)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-11 11:30:00

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RQJ0603LGDQATL-E規(guī)格書詳情

FEATURES

? Isolated Package

? High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;

f = 60 Hz)

? Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm

? P-Channel

? 175 °C Operating Temperature

? Dynamic dV/dt Rating

? Low Thermal Resistance

? Lead (Pb)-free Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    RQJ0603LGDQATL-E

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon P Channel MOS FET Power Switching

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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