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SCLH2012

SMDCeramicMultilayerChipInductors

FEATURES ExcellentQfactorandSRFcharacteristics Smallsizeissuitableforsmallportableequipment Supportsoperatingfrequencyupto6GHzwith inductancevaluesfrom0.6nHto470nH -55°C~+125°C APPLICATIONS RFResonanceandImpedanceMatchingCircuit RFandwirelesscommunication

RFERFE international

RFE國際公司RFE國際股份有限公司

SCM-2012

MultilayerChipCommonModeFilter

SUMIDASumida America Components Inc.

勝美達電子

SCM2012F-I

SMDWireWoundEMICommonModeChip

FRONTIER

Frontier Electronics

SD2012

DiscreteDiodes

SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司

SEF-2012

MultilayerChipLCFilters

SUMIDASumida America Components Inc.

勝美達電子

SER2012

ShieldedPowerInductor??SER2000

COILCRAFTCoilcraft lnc.

線藝美國線藝公司

SFH2012A

FIBEROPTICPINPHOTODIODE

FIBEROPTICPINPHOTODIODE

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

SFT2012

HIGHENERCYNPNTRANSISTOR

[SSDI] 2N5094AND2N5096 HIGHVOLTAGEPNPTRANSISTOR450-500VOLTS SFT2010,SFT2012,SFT2014 200AMPHIGHENERGYNPNTRANSISTORVCEO100,120,140VOLTS

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

SFT2012

200AMP100-140VOLTSNPNTRANSISTOR

200AMP100–140VOLTSNPNTRANSISTOR Features: ?BV(CBO)=250Voltsminimum ?600WPowerDissipation ?ExcellentSOACurve ?Es/bof800mJ ?Gainofover5at200A ?HighRelConstructionincludingGoldEutecticDieMounting,AluminumWiring ?PlanarChipConstructionwithLowLeakage

SSDI

Solid States Devices, Inc

SFT2012

HighEnergyNPNTransistor

200AMP100–140VoltHighEnergyNPNTransistor Features: ?BVCBO=250VMIN ?600WattsPowerDissipation ?ExcellentSOACurve ?Es/bof800mJ ?Gainofover5at200A ?HighReliabilityConstruction ?PlanarChipConstructionwithLowLeakageandVeryFastSwitching ?TX,TXV,S-Leve

SSDI

Solid States Devices, Inc

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    RS2012P

  • 制造商：

    ORISTER

  • 制造商全稱：

    Orister Corporation

  • 功能描述：

    Low Power OFF-Line SMPS Primary Switcher

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多RS2012P供應(yīng)商 更新時間2025-4-26 14:00:00

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