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RSJ250P10

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RSJ250P10

iscP-ChannelMOSFETTransistor

·FEATURES ·DrainCurrent–ID=-25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=63mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·Besuitablefors

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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4VDrivePchMOSFET

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RSJ250P10FRA

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RSJ250P10TL

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更多RSJ250P10FRATL供應(yīng)商 更新時間2025-1-11 14:00:00

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