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RT1N250S	文件：211.74 Kbytes Page：3 Pages	Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION RT1N250Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P250X. FEATURE ?Built-inbiasresistor(R1=200kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 諫早電子諫早電子株式會社	ISAHAYA
1N250	文件：100.36 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPowerRectifiers SiliconPowerRectifiers 18AMP-DO5	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
1N250	文件：162.73 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPOWERRECTIFIER SiliconPowerRectifier ●GlassPassivatedDie ●800Asurgerating ●Glasstometalsealconstruction ●VRRMto1200V	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N250	文件：101.71 Kbytes Page：1 Pages	SIRECTIFIER,5AI(O)/I(F)10A SiliconPowerRectifiers 18AMP-DO5	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
1N250A	文件：162.73 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPOWERRECTIFIER SiliconPowerRectifier ●GlassPassivatedDie ●800Asurgerating ●Glasstometalsealconstruction ●VRRMto1200V	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N250A	文件：100.36 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPowerRectifiers SiliconPowerRectifiers 18AMP-DO5	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
1N250B	文件：129.86 Kbytes Page：1 Pages	PEAKREPETITIVEREVERSEVOLTAGEDCBLOCKINGVOLTAGE PEAKREPETITIVEREVERSEVOLTAGEDCBLOCKINGVOLTAGE	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
1N250B	文件：100.36 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPowerRectifiers SiliconPowerRectifiers 18AMP-DO5	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
1N250B	文件：162.73 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPOWERRECTIFIER SiliconPowerRectifier ●GlassPassivatedDie ●800Asurgerating ●Glasstometalsealconstruction ●VRRMto1200V	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N250C	文件：162.73 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPOWERRECTIFIER SiliconPowerRectifier ●GlassPassivatedDie ●800Asurgerating ●Glasstometalsealconstruction ●VRRMto1200V	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N250C	文件：129.86 Kbytes Page：1 Pages	PEAKREPETITIVEREVERSEVOLTAGEDCBLOCKINGVOLTAGE PEAKREPETITIVEREVERSEVOLTAGEDCBLOCKINGVOLTAGE	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
1N250C	文件：100.36 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPowerRectifiers SiliconPowerRectifiers 18AMP-DO5	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
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1N250C	文件：116.65 Kbytes Page：1 Pages	Rectifier PEAKREPETITIVEREVERSEVOLTAGEDCBLOCKINGVOLTAGE	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
1N250RC	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUMPNPTRANSISTORS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
IXTF1N250	文件：331.57 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH1N250	文件：118.6 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFastIntrinsicDiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTT1N250HV	文件：160.16 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFastIntrinsicDiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
RT1N250C	文件：211.74 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N250Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P250X. FEATURE ?Built-inbiasresistor(R1=200kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 諫早電子諫早電子株式會社	ISAHAYA
RT1N250M	文件：211.74 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N250Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P250X. FEATURE ?Built-inbiasresistor(R1=200kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 諫早電子諫早電子株式會社	ISAHAYA

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更多RT1N250S供應(yīng)商更新時間2024-11-2 9:02:00

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