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RT1P434S

Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type

DESCRIPTION RT1P434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,NPNtypeisRT1N434X. FEATURE ?Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.

ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation

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MMDT1P434

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandinterfacecircuitanddrivecircuit applications Features ?Withbuilt-inbiasresistors ?Simplifycircuitdesign ?Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司

RT1P434C

TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconPNPEpitaxialType

DESCRIPTION RT1P434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,NPNtypeisRT1N434X. FEATURE ?Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.

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RT1P434M

TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconPNPEpitaxialType

DESCRIPTION RT1P434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,NPNtypeisRT1N434X. FEATURE ?Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.

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RT1P434U

TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconPNPEpitaxialType

DESCRIPTION RT1P434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,NPNtypeisRT1N434X. FEATURE ?Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.

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RT1P434X

TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconPNPEpitaxialType

DESCRIPTION RT1P434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,NPNtypeisRT1N434X. FEATURE ?Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.

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晶體管資料

  • 型號：

    RT1P434S

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+R

  • 性質(zhì)：

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    0.3W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    A-57

  • vtest：

    50

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0.3

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    RT1P434S

  • 制造商：

    ISAHAYA

  • 制造商全稱：

    Isahaya Electronics Corporation

  • 功能描述：

    Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多RT1P434S供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-22 17:00:00

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