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SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

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TRANSISTORSILICONPCHANNELMOSTYPE

LithiumIonBatteryApplications PortableEquipmentApplications NotebookPCs ?Smallfootprintduetosmallandthinpackage ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=9.5m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=20S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=?10μA(max)(VDS=?

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微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

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P-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested APPLICATIONS ?Notebook -LoadSwitch

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LithiumIonBatteryApplicationsNotebookPCApplicationsPortableEquipmentApplications

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TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOS4)

NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Smallfootprintduetoasmallandthinpackage ?Lowdrain-sourceON-resistance: RDS(ON)=9.4mΩ(typ.)(VGS=?10V) ?Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-30V) ?Enhancementmode:

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BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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FieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOS??

NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Smallfootprintduetoasmallandthinpackage ?Lowdrain-sourceON-resistance: RDS(ON)=9.4mΩ(typ.)(VGS=?10V) ?Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-30V) ?Enhancementmode:V

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更多RT8103E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-24 14:36:00

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