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RTP315N10F7

Aerospace and defense N-channel 100 V

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

315N10F7

Highavalancheruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STP315N10F7

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STP315N10F7

Highavalancheruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

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更多RTP315N10F7供應(yīng)商 更新時間2025-1-3 10:30:00

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