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MMD65R900QRH

650V0.90ohmN-channelMOSFET

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MMD65R900QRH

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=6.2mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NCE65R900

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

NCE65R900

N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFETll

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE65R900D

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

NCE65R900D

N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFETll

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE65R900F

N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFETll

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

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NCE65R900I

N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFETll

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

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NCE65R900K

N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFETll

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

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更多RU65R900P供應(yīng)商 更新時間2025-1-9 8:10:00

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