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SS2712	文件：390.17 Kbytes Page：9 Pages	HallLatch-HighSensitivity	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
SS2712ESOT	文件：390.17 Kbytes Page：9 Pages	HallLatch-HighSensitivity	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
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SS2712KUA	文件：390.17 Kbytes Page：9 Pages	HallLatch-HighSensitivity	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
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SS2712LUA	文件：390.17 Kbytes Page：9 Pages	HallLatch-HighSensitivity	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
TCD2712DG	文件：547.11 Kbytes Page：14 Pages	TOSHIBACCDLinearImageSensorCCD TheTCD2712DGisahighsensitiveandlowdarkcurrent7500 elements?3linesoutputCCDcolorlinearimagesensor. Thedevicecontainsarowof7500elements?3linesphotodiodes whichprovide24lines/mmacrossaA3sizepaper.Thedeviceis operatedby5.0Vpulseand10Vpowersupply.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
TMD2712	文件：1.76911 Mbytes Page：54 Pages	ALSProximitySensorModule Features ?Tiny1mmx2mmx0.5mmmodule ?1.8Vpowersupplywith1.8VI2Cbus ?Sleepmode(0.7μA) ?VCSELIRemitter ?Integratedfactorycalibrated940nmIRVCSEL ?Crosstalkandambientlightcancellation ?Wideconfigurationrange ?Highsensitivity ?2channels(photopicALS+IR)	OSRAMOSRAM GmbH 艾邁斯歐司朗歐司朗光電半導體	OSRAM
TW2712	文件：324.55 Kbytes Page：2 Pages	TW2710andTW2712SingleBandGNSSAntennas	TALLYSMAN Tallysman Wireless Inc.	TALLYSMAN
UPA2712GR	文件：1.82772 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
UPA2712GR	文件：314.19 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2712GRisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=13mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?5.0A) RDS(on)2=21mΩMAX.(VGS=?4.5V,	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPA2712GR	文件：89.53 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
UPC2712T	文件：159.19 Kbytes Page：12 Pages	2.6GHzWIDEBANDAMPLIFIERSILICONBIPOLARMONOLITHICINTEGRATEDCIRCUIT DESCRIPTION TheUPC2709TandUPC2712TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,a	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
UPC2712T	文件：96.88 Kbytes Page：6 Pages	2.5GHzSILICONMMICWIDE-BANDAMPLIFIER DESCRIPTION TheUPC2709TandUPC2712TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,a	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
UPC2712TB	文件：334.89 Kbytes Page：21 Pages	3.3V,SILICONGERMANIUMMMICWIDEBANDAMPLIFIER	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPC2712TB	文件：66.53 Kbytes Page：9 Pages	5V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICWIDEBANDAMPLIFIER	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
UPC2712TB	文件：285.69 Kbytes Page：20 Pages	5V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICWIDEBANDAMPLIFIER	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
UPC2712TB	文件：416.83 Kbytes Page：14 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC2712TB	文件：334.23 Kbytes Page：10 Pages	5V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICWIDEBANDAMPLIFIER	CEL California Eastern Labs	CEL

詳細參數

型號：
RW2712
制造商：
OHIO BUCKEYE

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	RW2A105M0811M	SAMWH	2022+	DIP	65000	原廠代理終端免費提供樣品	詢價
深圳市賽美科科技有限公司	RW2PJ100VA	PANASONIC		DIP-2	35560	一級代理原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨	詢價

更多RW2712供應商更新時間2024-11-6 10:04:00

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