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RXT2016AT	文件：552.17 Kbytes Page：6 Pages	Low profile SMD AT-cut quartz crystal with thermally	TEMEX temex	TEMEX
S2016N	文件：222.45 Kbytes Page：12 Pages	SCRs GeneralDescription TheTeccorlineofthyristorSCRsemi-conductorsarehalf-wave,unidirectional,gate-controlledrectifierswhichcomplementTeccorslineofsensitiveSCRs.Teccoroffersdeviceswithratingsof1Ato70Aand200Vto1000V,withgatesensitivitiesfrom10mAto50mA.Ifga	Teccor Teccor Electronics	Teccor
S2016N	文件：212.84 Kbytes Page：12 Pages	SCRs(1Ato70A) GeneralDescription TheTeccorlineofthyristorSCRsemi-conductorsarehalf-wave,unidirectional,gate-controlledrectifierswhichcomplementTeccorslineofsensitiveSCRs.Teccoroffersdeviceswithratingsof1Ato70Aand200Vto1000V,withgatesensitivitiesfrom10mAto50mA.Ifga	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
S2016N	文件：218.54 Kbytes Page：12 Pages	RoHSCompliant,Electrically-isolatedpackage	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
S2016R	文件：212.84 Kbytes Page：12 Pages	SCRs(1Ato70A) GeneralDescription TheTeccorlineofthyristorSCRsemi-conductorsarehalf-wave,unidirectional,gate-controlledrectifierswhichcomplementTeccorslineofsensitiveSCRs.Teccoroffersdeviceswithratingsof1Ato70Aand200Vto1000V,withgatesensitivitiesfrom10mAto50mA.Ifga	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
S2016R	文件：222.45 Kbytes Page：12 Pages	SCRs GeneralDescription TheTeccorlineofthyristorSCRsemi-conductorsarehalf-wave,unidirectional,gate-controlledrectifierswhichcomplementTeccorslineofsensitiveSCRs.Teccoroffersdeviceswithratingsof1Ato70Aand200Vto1000V,withgatesensitivitiesfrom10mAto50mA.Ifga	Teccor Teccor Electronics	Teccor
S2016R	文件：218.54 Kbytes Page：12 Pages	RoHSCompliant,Electrically-isolatedpackage	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
SD2016	文件：217.12 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司	SIRECTIFIER
SG2016CAA	文件：488.98 Kbytes Page：2 Pages	愛普生MHZ晶體振蕩器SG2016CAA選型規(guī)格書	YXCshenzhenyangxingkejiyouxiangongsi 揚興深圳揚興科技有限公司	YXC
SG2016CAA	文件：511.03 Kbytes Page：2 Pages	CRYSTALOSCILLATOR(SPXO)OUTPUT:CMOS	EPSONEpson ToYoCom 愛普生愛普生電子元器件	EPSON
SG2016CAA-o	文件：488.98 Kbytes Page：2 Pages	SG2016CAA-datesheet	YXCshenzhenyangxingkejiyouxiangongsi 揚興深圳揚興科技有限公司	YXC
SG2016CAN	文件：419.07 Kbytes Page：2 Pages	CRYSTALOSCILLATOR(SPXO)	SIISeiko Instruments Inc 精工愛普生精工愛普生株式會社	SII
SG2016CAN	文件：514.068 Kbytes Page：2 Pages	愛普生MHZ晶體振蕩器SG2016CAN選型規(guī)格書	YXCshenzhenyangxingkejiyouxiangongsi 揚興深圳揚興科技有限公司	YXC
SG2016CAN	文件：506.74 Kbytes Page：2 Pages	CRYSTALOSCILLATOR(SPXO)OUTPUT:CMOS	EPSONEpson ToYoCom 愛普生愛普生電子元器件	EPSON
SGM2016	文件：112.28 Kbytes Page：4 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016M/PisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellularradio,andDBSIFamplifiers. Features ?Lowvoltageoperation ?LownoiseNF=1.2dB(typ.)at900MHz	SonySONY 索尼索尼	Sony
SGM2016	文件：61.48 Kbytes Page：5 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016AM/APisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellular/cordlessphone,andDBSIFamplifiers. Features ?Lowvoltageoperation ?LownoiseNF=1.2dB(typ.	SonySONY 索尼索尼	Sony
SGM2016AM	文件：61.48 Kbytes Page：5 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016AM/APisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellular/cordlessphone,andDBSIFamplifiers. Features ?Lowvoltageoperation ?LownoiseNF=1.2dB(typ.	SonySONY 索尼索尼	Sony
SGM2016AN	文件：56.22 Kbytes Page：5 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016ANisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellular/cordlessphone,andDBSIFamplifiers. Features ?Ultra-smallpackage ?Lowvoltageoperation ?Lowno	SonySONY 索尼索尼	Sony
SGM2016AP	文件：61.48 Kbytes Page：5 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016AM/APisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellular/cordlessphone,andDBSIFamplifiers. Features ?Lowvoltageoperation ?LownoiseNF=1.2dB(typ.	SonySONY 索尼索尼	Sony
SGM2016M	文件：112.28 Kbytes Page：4 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016M/PisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellularradio,andDBSIFamplifiers. Features ?Lowvoltageoperation ?LownoiseNF=1.2dB(typ.)at900MHz	SonySONY 索尼索尼	Sony

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更多RXT2016AT供應(yīng)商更新時間2024-11-20 14:08:00

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