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S10C150C中文資料統(tǒng)懋?dāng)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

S10C150C
廠商型號

S10C150C

功能描述

Schottky Barrier Rectifiers

文件大小

160.8 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Mospec Semiconductor
企業(yè)簡稱

MOSPEC統(tǒng)懋

中文名稱

統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-15 23:20:00

S10C150C規(guī)格書詳情

SchottkyBarrier Rectifiers

Using the Schottky Barrier principle with a Molybdenum barrier metal. These state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlaycontact. Ideally suited for lowvoltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarityprotection diodes.

*LowForward Voltage.

*LowSwitching noise.

*High Current Capacity

*Guarantee Reverse Avalanche.

*Guard-Ring for Stress Protection.

*LowPower Loss & High efficiency.

*150℃ Operating Junction Temperature

*LowStored Charge MajorityCarrier Conduction.

*Plastic Material used Carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    S10C150C

  • 制造商:

    MOSPEC

  • 制造商全稱:

    Mospec Semiconductor

  • 功能描述:

    Schottky Barrier Rectifiers

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