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TIP136

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS

DESCRIPTION TheTIP130,TIP131andTIP132aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinmonolithicDarlingtonconfiguration,mountedinJedecTO-220plasticpackage.Theyareintentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareTIP135,TIP136andTIP

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

TIP136

SiliconPNPDarlingtonPowerTransistors

DESCRIPTION ?WithTO-220Cpackage ?DARLINGTON ?Collectorsaturationvoltage ?ComplementtotypeTIP130/131/132 APPLICATIONS ?Designedforgeneral-purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

TIP136

PLASTICPOWERTRANSISTORS

PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinLinearandSwitchingApplications

TEL

TRANSYS Electronics Limited

TIP136

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithTIP130,TIP131andTIP132 ●70Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof1000at4V,4A

POINN

Power Innovations Ltd

TIP136

POWERTRANSISTORS(8.0A,60-100V,70W)

PLASTICMEDIUM-POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS 8.0AMPEREDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS70WATTS

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導體股份有限公司

TIP136

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewith TIP130,TIP131andTIP132 ●70Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof1000at4V,4A

TRSYS

Transys Electronics

TIP136

iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION ?HighDCCurrentGain- :hFE=1000(Min)@IC=-4A ?Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-80V(Min) ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=-2.0V(Max)@IC=-4A ?ComplementtoTypeTIP131 APPLICATIONS ?Designedforgeneral-purposeampl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

TIP136

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS

DESCRIPTION TheTIP130,TIP131andTIP132aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinmonolithicDarlingtonconfiguration,mountedinJedecTO-220plasticpackage.Theyareintentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareTIP135,TIP136and

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

TIP136

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS

DESCRIPTION TheTIP130,TIP131andTIP132aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinmonolithicDarlingtonconfiguration,mountedinJedecTO-220plasticpackage.Theyareintentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareTIP135,TIP136and

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

TIP136

SiliconPNPDarlingtonPowerTransistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    S136BN

  • 制造商：

    L3 Narda-MITEQ

  • 類別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻開關(guān)

  • 包裝：

    盒

  • 射頻類型：

    通用

  • 拓撲：

    反射

  • 電路：

    SPST

  • 頻率范圍：

    2GHz ~ 8GHz

  • 隔離：

    80dB（最?。?/p>

  • 插損：

    2dB（最大）

  • 測試頻率：

    8GHz

  • IIP3：

    35dBm

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C

  • 封裝/外殼：

    模塊，SMA 連接器

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    模塊

  • 描述：

    SWITCH

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
L3 NARDA-MITEQ
22+
NA
500000
萬三科技,秉承原裝,購芯無憂
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ST
23+
原廠原封
16900
正規(guī)渠道,只有原裝!
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ST
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NA
200000
原裝進口正口,支持樣品
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SHARP/夏普
23+
SOP16
11200
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
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EPSON
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BGA
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更多S136BN供應(yīng)商 更新時間2025-3-31 15:00:00

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