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S16C100CE中文資料統(tǒng)懋數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

S16C100CE
廠商型號

S16C100CE

功能描述

Schottky Barrier Power Rectifiers

文件大小

176.08 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Mospec Semiconductor
企業(yè)簡稱

MOSPEC統(tǒng)懋

中文名稱

統(tǒng)懋半導體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-15 13:00:00

S16C100CE規(guī)格書詳情

Schottky Barrier Power Rectifiers

Using the Schottky Barrier principle with a Molybdenum barrier metal. These state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarity protection diodes.

* Low Forward Voltage.

* Low Switching noise.

* High Current Capacity

* Guarantee Reverse Avalanche.

* Guard-Ring for Stress Protection.

* Low Power Loss & High efficiency.

* 150℃ Operating Junction Temperature

* Low Stored Charge Majority Carrier Conduction.

* Plastic Material used Carries Underwriters Laboratory

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    S16C100CE

  • 制造商:

    MOSPEC

  • 制造商全稱:

    Mospec Semiconductor

  • 功能描述:

    Schottky Barrier Power Rectifiers

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