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S29GL01GS11TFV010集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

S29GL01GS11TFV010
廠商型號(hào)

S29GL01GS11TFV010
參數(shù)屬性

S29GL01GS11TFV010 封裝/外殼為56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP
功能描述

GL-S MirrorBit Eclipse Flash Non-Volatile Memory Family
封裝外殼

56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）
文件大小

3.73034 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量

104 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 SPANSION
企業(yè)簡(jiǎn)稱

spansion【飛索】

中文名稱

飛索半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-24 17:18:00

S29GL01GS11TFV010規(guī)格書詳情

GL-S MirrorBit? Eclipse? Flash Non-Volatile Memory Family

S29GL01GS 1 Gbit (128 Mbyte)

S29GL512S 512 Mbit (64 Mbyte)

S29GL256S 256 Mbit (32 Mbyte)

S29GL128S 128 Mbit (16 Mbyte)

CMOS 3.0 Volt Core with Versatile I/O

General Description

The Spansion? S29GL01G/512/256/128S are MirrorBit Eclipse flash products fabricated on 65 nm process technology. These devices offer a fast page access time as fast as 15 ns with a corresponding random access time asfast as 90 ns. They feature a Write Buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation, resulting infaster effective

programming time than standard programming algorithms. Thismakes these devices ideal for today’s embedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption.

Distinctive Characteristics

?65 nm MirrorBit Eclipse Technology

?Single supply (VCC) for read / program / erase (2.7V to 3.6V)

?Versatile I/O Feature

– Wide I/O voltage range (VIO): 1.65V to VCC

?x16 data bus

?Asynchronous 32-byte Page read

?512-byte Programming Buffer

– Programming in Page multiples, up to a maximum of 512 bytes

?Single word and multiple program on same word options

?Sector Erase

– Uniform 128-kbyte sectors

?Suspend and Resume commands for Program and Erase operations

?Status Register, Data Polling, and Ready/Busy pin methods to determine device status

?Advanced Sector Protection (ASP)

– Volatile and non-volatile protection methods for each sector

?Separate 1024-byte One Time Program (OTP) array with two lockable regions

?Common Flash Interface (CFI) parameter table

?Temperature Range

– Industrial (-40°C to +85°C)

– In-Cabin (-40°C to +105°C)

?100,000 erase cycles for any sector typical

?20-year data retention typical

?Packaging Options

– 56-pin TSOP

– 64-ball LAA Fortified BGA, 13 mm x 11 mm

– 64-ball LAE Fortified BGA, 9 mm x 9 mm

– 56-ball VBU Fortified BGA, 9 mm x 7 mm

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    S29GL01GS11TFV010

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 系列：

    GL-S

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NOR

  • 存儲(chǔ)容量：

    1Gb（64M x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    60ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 105°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    56-TSOP

  • 描述：

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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