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S29GL512N11FFI010

3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit??Process Technology

512Megabit,256Megabit,and128Megabit,3.0Volt-onlyPageModeFlashMemoryfeaturing110nmMirrorBit?ProcessTechnology GeneralDescription TheS29GL512/256/128Nfamilyofdevicesare3.0Vsinglepowerflashmemorymanufacturedusing110nmMirrorBittechnology.TheS29GL512Nisa5

spansionSPANSION

飛索飛索半導體

S29GL512N11FFI010

包裝:托盤托盤 封裝/外殼:64-LBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:FLASH, 32MX16, 110NS, PBGA64

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

產品屬性

  • 產品編號:

    S29GL512N11FFI010

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 系列:

    GL-N

  • 包裝:

    托盤托盤

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    閃存

  • 技術:

    FLASH - NOR

  • 存儲容量:

    512Mb(32M x 16,64M x 8)

  • 存儲器接口:

    CFI

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    110ns

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    64-LBGA

  • 供應商器件封裝:

    64-FBGA(13x11)

  • 描述:

    FLASH, 32MX16, 110NS, PBGA64

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多S29GL512N11FFI010供應商 更新時間2024-12-31 17:06:00