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S29GL512S集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

S29GL512S
廠商型號

S29GL512S
參數(shù)屬性

S29GL512S 封裝/外殼為64-LBGA；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
功能描述

128 Mb/256 Mb/512 Mb/1 Gb GL-S MIRRORBIT? flash Parallel, 3.0 V
封裝外殼

64-LBGA
文件大小

1.46592 Mbytes
頁面數(shù)量

122 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-8 23:00:00

S29GL512S規(guī)格書詳情

Distinctive characteristics

? CMOS 3.0 V core with versatile I/O

? 65 nm MIRRORBIT? Eclipse technology

? Single supply (VCC) for read / program / erase (2.7 V to 3.6 V)

? Versatile I/O feature

- Wide I/O voltage range (VIO): 1.65 V to VCC

? ×16 data bus

? Asynchronous 32-byte page read

? 512-byte programming buffer

- Programming in page multiples, up to a maximum of 512 bytes

? Single word and multiple program on same word options

? Automatic error checking and correction (ECC) – internal hardware ECC with single bit error correction

? Sector erase

- Uniform 128-kbyte sectors

? Suspend and resume commands for program and erase operations

? Status register, data polling, and ready/busy pin methods to determine device status

? Advanced sector protection (ASP)

- Volatile and non-volatile protection methods for each sector

? Separate 1024-byte one time program (OTP) array with two lockable regions

? Common flash interface (CFI) parameter table

? Temperature range / grade

- Industrial (–40°C to +85°C)

- Industrial plus(–40°C to +105°C)

- Automotive, AEC-Q100 grade 3 (–40°C to +85°C)

- Automotive, AEC-Q100 grade 2 (–40°C to +105°C)

? 100,000 program / erase cycles

? 20 years data retention

? Packaging options

- 56-pin TSOP

- 64-ball LAA Fortified BGA, 13 mm × 11 mm

- 64-ball LAE Fortified BGA, 9 mm × 9 mm

- 56-ball VBU Fortified BGA, 9 mm × 7 mm

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    S29GL512S10DHA020

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 系列：

    GL-S

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NOR

  • 存儲容量：

    512Mb（32M x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    60ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    64-LBGA

  • 供應商器件封裝：

    64-FBGA（9x9）

  • 描述：

    IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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