首頁 >S2M>規(guī)格書列表

零件編號下載 訂購功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

S2M0080120T

1200V SIC POWER MOSFET

?Positivetemperaturecharacteristics,easytoparallel. ?Lowon-resistanceTyp.RDS(on)=77mΩ. ?Fastswitchingspeedandlowswitchinglosses. ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode. ?Processofnon-brightTinelectroplatin

SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD

桑德斯微電子桑德斯微電子器件（南京）有限公司

S2M0120120D

1200V SIC POWER MOSFET

?Positivetemperaturecharacteristics,easytoparallel. ?Lowon-resistanceTyp.RDS(on)=133mΩ. ?Fastswitchingspeedandlowswitchinglosses. ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode. ?Processofnon-brightTinelectroplatin

SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD

桑德斯微電子桑德斯微電子器件（南京）有限公司

S2M0120120J

1200V SIC POWER MOSFET

?Positivetemperaturecharacteristics,easytoparallel. ?Lowon-resistanceTyp.RDS(on)=133mΩ. ?Fastswitchingspeedandlowswitchinglosses. ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode. ?Processofnon-brightTinelectroplatin

SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD

桑德斯微電子桑德斯微電子器件（南京）有限公司

S2M0120120JTR

1200V SIC POWER MOSFET

?Positivetemperaturecharacteristics,easytoparallel. ?Lowon-resistanceTyp.RDS(on)=133mΩ. ?Fastswitchingspeedandlowswitchinglosses. ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode. ?Processofnon-brightTinelectroplatin

SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD

桑德斯微電子桑德斯微電子器件（南京）有限公司

S2M0120120K

1200V SIC POWER MOSFET

?Positivetemperaturecharacteristics,easytoparallel. ?Lowon-resistanceTyp.RDS(on)=133mΩ. ?Fastswitchingspeedandlowswitchinglosses. ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode. ?Processofnon-brightTinelectroplatin

SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD

桑德斯微電子桑德斯微電子器件（南京）有限公司

S2M0120120T

1200V SIC POWER MOSFET

?Positivetemperaturecharacteristics,easytoparallel. ?Lowon-resistanceTyp.RDS(on)=133mΩ. ?Fastswitchingspeedandlowswitchinglosses. ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode. ?Processofnon-brightTinelectroplatin

SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD

桑德斯微電子桑德斯微電子器件（南京）有限公司

S2M0160120D

1200V SIC POWER MOSFET

Positivetemperaturecharacteristics,easytoparallel. Lowon-resistanceTyp.RDS(on)=175mΩ. Fastswitchingspeedandlowswitchinglosses. Veryfastandrobustintrinsicbodydiode. Processofnon-brightTinelectroplatin

SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD

桑德斯微電子桑德斯微電子器件（南京）有限公司

S2M0160120J

1200V SIC POWER MOSFET

?Positivetemperaturecharacteristics,easytoparallel. ?Lowon-resistanceTyp.RDS(on)=175mΩ. ?Fastswitchingspeedandlowswitchinglosses. ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode. ?Processofnon-brightTinelectroplatin

SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD

桑德斯微電子桑德斯微電子器件（南京）有限公司

S2M0160120JTR

1200V SIC POWER MOSFET

?Positivetemperaturecharacteristics,easytoparallel. ?Lowon-resistanceTyp.RDS(on)=175mΩ. ?Fastswitchingspeedandlowswitchinglosses. ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode. ?Processofnon-brightTinelectroplatin

SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD

桑德斯微電子桑德斯微電子器件（南京）有限公司

S2M0160120K

1200V SIC POWER MOSFET

?Positivetemperaturecharacteristics,easytoparallel. ?Lowon-resistanceTyp.RDS(on)=175mΩ. ?Fastswitchingspeedandlowswitchinglosses. ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode. ?Processofnon-brightTinelectroplatin

SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD

桑德斯微電子桑德斯微電子器件（南京）有限公司

產品屬性

  • 產品編號：

    S2M

  • 制造商：

    SMC Diode Solutions

  • 類別：

    分立半導體產品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 二極管類型：

    標準

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    2A

  • 速度：

    標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）

  • 不同?Vr、F 時電容：

    30pF @ 4V，1MHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    DO-214AA，SMB

  • 供應商器件封裝：

    SMB（DO-214AA）

  • 工作溫度 - 結：

    -55°C ~ 150°C

  • 描述：

    DIODE GEN PURP 1KV 2A SMB

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TSC
1706+
SMB
300
原裝正品現貨價優(yōu)
 詢價
ON
24+
SMA
12000
只做原裝正品,假一罰十!
 詢價
2015+
220
公司現貨庫存
 詢價
ONSEMI
18+ROHS
NA
23000
全新原裝!優(yōu)勢庫存熱賣中!
 詢價
MIC
23+
SMB
963000
一級分銷商
 詢價
PANJIT
22+
SMB
9850
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
 詢價
FAIRCHILD/仙童
2019+PB
DO-214AA(SMB)
130000
原裝正品 可含稅交易
 詢價
HB
2021+
SMB
9000
原裝現貨,隨時歡迎詢價
 詢價
PanJit(強茂)
2023+
N/A
4550
全新原裝正品
 詢價
TOSHIBA/東芝
23+/24+
TSOP-6
9865
原裝MOS管(場效應管).
 詢價
更多S2M供應商 更新時間2025-4-12 14:30:00

相關規(guī)格書

更多

相關庫存

更多