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S30MS512P25TFW503

1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Memory Based on MirrorBit??Technology

spansionSPANSION

飛索飛索半導(dǎo)體

S30MS512P25TFW510

1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Memory Based on MirrorBit??Technology

spansionSPANSION

飛索飛索半導(dǎo)體

S30MS512P25TFW512

1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Memory Based on MirrorBit??Technology

spansionSPANSION

飛索飛索半導(dǎo)體

S30MS512P25TFW513

1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Memory Based on MirrorBit??Technology

spansionSPANSION

飛索飛索半導(dǎo)體

S30MS-P

1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Memory Based on MirrorBit??Technology

spansionSPANSION

飛索飛索半導(dǎo)體

S30NC15

Schottky Barrier Diode

SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新電元工業(yè)株式會社

S30NW6C

Highest Flux White

HB

HB Electronic Components

S30R

Center Tap Chip Resistor

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

S30RAC

Center Tap Chip Resistor

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

S30RAE

Center Tap Chip Resistor

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

晶體管資料

  • 型號:

    S30-28

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

  • 封裝形式:

  • 極限工作電壓:

    33V

  • 最大電流允許值:

    4A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

  • 可代換的型號:

    3DK106B,

  • 最大耗散功率:

    65W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    NO

  • vtest:

    33

  • htest:

    999900

  • atest:

    4

  • wtest:

    65

詳細參數(shù)

  • 型號:

    S30

  • 制造商:

    NOGA

  • 功能描述:

    DEBURRING BLADE PK10

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
XG
13+
DIP
20048
原裝分銷
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24+/25+
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原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
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只做原裝正品
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更多S30供應(yīng)商 更新時間2025-4-24 9:00:00