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S676B中文資料思祁半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

S676B
廠商型號(hào)

S676B

功能描述

300A Stud Type Rotary Silicon Rectifier Diode for Generator Exciter

文件大小

515.14 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Thinki Semiconductor Co., Ltd.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

THINKISEMI思祁半導(dǎo)體

中文名稱

思祁半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-11 22:50:00

S676B規(guī)格書詳情

Features

※ ThinkiSemi matured process rectifier diodes

※ Low forward voltage drop

※ High current capability/High reverse voltage

※ Low reverse leakage current

※ High surge current capability

Application

※ Converters/Power supplies/Machine tool controls

※ Turbo Generators with Brushless Excitation

※ High power drives/Medium traction applications

Mechanical Data

※ Case: Hermetic metal cases with ceramic insulators

※ Polarity: Stud cathode and stud anode version

※ Mounting position: Any

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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