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PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified(SeeAN1001) ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?Swi | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
PowerMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowe | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowe | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS ?Serverandtelecompowersupplies ?Switchmodepowersupplies(SMPS) ?Powerfactorcorrection | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司 | VBSEMI | ||
PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowe | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司 | VBSEMI | ||
RepetitiveAvalancheRated DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovi | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheet | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialappl | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Darl
- 性質：
低頻或音頻放大 （LF）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
- 最大電流允許值：
10A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
- 最大耗散功率：
90W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
B-33
- vtest：
0
- htest：
999900
- atest：
10
- wtest：
90
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CJ |
19+ |
SOT-23 |
20000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
CJ |
1942+ |
SOT-23 |
9852 |
只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨!假一賠十! |
詢價 | ||
CJ |
24+ |
SOT-23 |
35200 |
一級代理/放心采購 |
詢價 | ||
PHI |
24+ |
DIP14 |
65 |
詢價 | |||
PHILIPS/飛利浦 |
23+ |
CDIP-14 |
11200 |
原廠授權一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO |
詢價 | ||
PHILIPS/飛利浦 |
22+ |
CDIP-14 |
14008 |
原裝正品 |
詢價 | ||
NKKSwitches |
新 |
49 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價 | |||
NKK Switches |
2022+ |
45 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價 | |||
NKK |
20+ |
開關元件 |
96 |
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件! |
詢價 | ||
NXP USA Inc |
23+/24+ |
64-BQFP |
8600 |
只供原裝進口公司現(xiàn)貨+可訂貨 |
詢價 |
