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MBRX180

Marking：S8；Package：SOD-123FL；Schottky Barrier Rectifiers

FEATURES ◇Lowforwardsurgecurrent ◇Idealforsurfacemoutedapplications ◇Lowleakagecurrent

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

MM5Z15

Marking：S8；Package：SOD-544；Zener Diode

Features ●Highreliability ●ZenerVoltage2.0V~75V

FS

First Silicon Co., Ltd

PMP4501Y

Marking：S8；Package：SC-88；NPN/NPN matched double transistors

Features *Currentgainmatching *Base-emittervoltagematching *CommonemitterconfigurationforSOT353types *Application-optimizedpinout

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

PMP4501Y

Marking：S8；Package：TSSOP6；45 V, 100 mA NPN/NPN matched double transistor

1.Generaldescription NPN/NPNmatcheddoubletransistorinaverysmallSurface-MountedDevice(SMD)SOT363 (SC-88)plasticpackage.ThetransistorsintheSOT363packagearefullyisolatedinternally. NPN/NPNhFE1/hFE20.98complement:PMP4201Y PNP/PNPcomplement:PMP5501Y 2.Featuresand

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

RB751V-40

Marking：S8；Package：SOD-323；SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE

Features ?Smallsurfacemountingtype ?Lowreversecurrentandlowforwardvoltage ?Highreliability Applications ?Highspeedswitching

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

SD103CW

Marking：S8；Package：SOD-123；Small Signal Schottky Diodes

FEATURES ?ThelowforwardvoltagedropandfastswitchingmakeitidealforprotectionofMOSdevices,steering,biasing,andcouplingdiodesforfastswitchingandlowlogiclevelapplications ?Otherapplicationsareclicksuppression,efficientfullwavebridgesintelephonesubsets,andblo

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SSM3K79CT

Marking：S8；Package：CST3；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications ?LoadSwitches Features (1)2.5Vdrive (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=3.6Ω(max)(@VGS=4V) RDS(ON)=6.0Ω(max)(@VGS=2.5V) (3)Lowleakagecurrent

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM3K79FS

Marking：S8；Package：SSM；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications ?LoadSwitches Features (1)2.5Vdrive (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=3.6Ω(max)(@VGS=4V) RDS(ON)=6.0Ω(max)(@VGS=2.5V) (3)Lowleakagecurrent

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM3K79FU

Marking：S8；Package：USM；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications ?LoadSwitches Features (1)2.5Vdrive (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=3.6Ω(max)(@VGS=4V) RDS(ON)=6.0Ω(max)(@VGS=2.5V) (3)Lowleakagecurrent

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM3K79MFV

Marking：S8；Package：VESM；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications ?LoadSwitches Features (1)2.5Vdrive (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=3.6Ω(max)(@VGS=4V) RDS(ON)=6.0Ω(max)(@VGS=2.5V) (3)Lowleakagecurrent

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

替換型號

晶體管資料

  • 型號：

    S876T

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

  • 性質(zhì)：

    低速 （LS）_開關(guān)管 （SW）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    1.2KV

  • 最大電流允許值：

    12A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    110W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    B-10

  • vtest：

    1200

  • htest：

    999900

  • atest：

    12

  • wtest：

    110

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    S8

  • 制造商：

    Klein Tools, Inc.

  • 類別：

    工具 > 螺絲和螺母起子

  • 包裝：

    散裝

  • 工具類型：

    螺母扳手

  • 尖頭 - 類型：

    六角插口

  • 尺寸：

    1/4"

  • 長度 - 插片：

    3.00"（76.2mm）

  • 長度 - 總體：

    6.63"（168.4mm）

  • 特性：

    表面鍍鉻，帶色碼，中空軸

  • 描述：

    NUT DRIVR HEX SOCKET 1/4\

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更多S8供應(yīng)商 更新時間2025-3-31 9:54:00

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