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S9012T	文件：95.56 Kbytes Page：2 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor FEATURE Powerdissipation PCM:0.625WTamb=25°C Collectorcurrent ICM:-0.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55°Cto+150°C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
S9012T_15	文件：95.56 Kbytes Page：2 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
S9012W	文件：1.85073 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ComplementarytoS9013W ExcellenthFElinearity	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
S9012W	文件：1.1333 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323TPlastic-EncapsulateTransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
SC9012	文件：177.39 Kbytes Page：12 Pages	INFRAREDREMOTECONTROLTRANSMITTER DESCRIPTION SC9012isaninfraredremotecontroltransmitterutilizingCMOSTechnologyspeciallydesignedforuseoninfraredremotecontrolapplications.Itiscapableofcontrolling32functionkeysand6doublekeys.Eachsystemhasamaximumof8commands;thus,SC9012canprovideuptoat	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SM-BGA-9012	文件：385.39 Kbytes Page：4 Pages	DirectmountstotargetPCBwithhardware	IRONWOOD Ironwood Electronics.	IRONWOOD
SM-QFN-9012	文件：298.65 Kbytes Page：5 Pages	Lowandstablecontactresistanceforreliableproductionyield	IRONWOOD Ironwood Electronics.	IRONWOOD
SS9012	文件：35.96 Kbytes Page：4 Pages	1WOutputAmplifierofPotableRadiosinClassBPush-pullOperation. 1WOutputAmplifierofPotableRadiosinClassBPush-pullOperation. ?Hightotalpowerdissipation.(PT=625mW) ?HighCollectorCurrent.(IC=-500mA) ?ComplementarytoSS9013 ?ExcellenthFElinearity.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SS9012	文件：219.94 Kbytes Page：6 Pages	PNP(1WOUTPUTAMPLIFIEROFPOTABLERADIOSINCLASSBPUSH-PULLOPERATION) 1WOUTPUTAMPLIFIEROFPOTABLERADIOSINCLASSBPUSH-PULLOPERATION. ?Hightotalpowerdissipation.(PT=625mW) ?HighCollectorCurrent.(IC=-500mA) ?ComplementarytoSS9013 ?ExcellenthFElinearity.	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
SS9012	文件：41.45 Kbytes Page：4 Pages	1WOutputAmplifierofPotableRadiosinClassBPush-pullOperation. 1WOutputAmplifierofPotableRadiosinClassBPush-pullOperation. ?Hightotalpowerdissipation.(PT=625mW) ?HighCollectorCurrent.(IC=-500mA) ?ComplementarytoSS9013 ?ExcellenthFElinearity.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SS9012GBU	文件：41.45 Kbytes Page：4 Pages	1WOutputAmplifierofPotableRadiosinClassBPush-pullOperation. 1WOutputAmplifierofPotableRadiosinClassBPush-pullOperation. ?Hightotalpowerdissipation.(PT=625mW) ?HighCollectorCurrent.(IC=-500mA) ?ComplementarytoSS9013 ?ExcellenthFElinearity.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SS9012GTA	文件：628.43 Kbytes Page：1 Pages	FAIRCHILDSmallSignalTransistors	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
ST9012	文件：247.9 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications.EspeciallysuitableforAF-driverstagesandlowpoweroutputstages. Thetransistorissubdividedintothreegroups,G,HandI,accordingtoitsDCcurrentgain.As complementarytypetheNPNtransistor9013	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
STA9012N	文件：238.12 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconTransistor Description ?Generalpurposeapplication ?Switchingapplication Features ?ExcellenthFElinearity ?ComplementarypairwithSTC9013N	AUK AUK corp	AUK
STA9012SF	文件：251.71 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconTransistor Description ?Generalpurposeapplication ?Switchingapplication Features ?ExcellenthFElinearity ?ComplementarypairwithSTC9013SF	AUK AUK corp	AUK
STR9012	文件：53.24 Kbytes Page：5 Pages	5-Terminal,LowDropoutVoltageDropperType	SankenSanken electric 三墾三墾電氣株式會社	Sanken
STS9012	文件：111.53 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor Descriptions ?Generalpurposeapplication. ?Switchingapplication. Features ?ExcellenthFElinearity. ?ComplementarypairwithSTS9012	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
STS9012	文件：106.03 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor	AUK AUK corp	AUK
STTH9012TV	文件：146.78 Kbytes Page：8 Pages	Ultrafastrecovery-1200Vdiode	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
TEC9012	文件：78.59 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPNPEPITAXIALTYPE(PCTPROCESS) AUDIOPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS. FEATURES .HighhFE:hFE=96-300 .1WOutputApplications .ComplementarytoTEC9013	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
S9012T
制造商：
SECOS
制造商全稱：
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
功能描述：
PNP Epitaxial Silicon Transistor

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	S9012T		24+	N/A	65000	一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇	詢價
深圳市中遠(yuǎn)芯科技有限公司	S9012T	LMSEMI/礪馬	24+	SOT523	30000	原裝現(xiàn)貨	詢價
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深圳市百域芯科技有限公司	S9012TO-92	CJ/長電	21+	TO-92	30000	百域芯優(yōu)勢實單必成可開13點(diǎn)增值稅發(fā)票	詢價
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中科航電（深圳）電子集團(tuán)有限公司	S9012TO-92	長電		TO-92	90000	集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)	詢價

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