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SA9024	文件：151.91 Kbytes Page：23 Pages	900MHztransmitmodulatorand1.3GHzfractional-Nsynthesizer DESCRIPTION Thisspecificationdefinestherequirementsforatransmittermodulatorandfractional–NsynthesizerICtobeusedincellulartelephoneswhichemploytheNorthAmericanDualModeCellularSystem(IS–136). FEATURES ?Lowcurrentfrom3.75Vsupply ?Lowphasenoise ?Mainloopwith	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
SFR9024	文件：230.52 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=-60V ●LowerRDS(ON):0.206?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SFR9024	文件：321.74 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
SFR9024TF	文件：236 Kbytes Page：7 Pages	AvalancheRuggedTechnology FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=-60V ●LowerRDS(ON):0.206?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SFR9024TF	文件：913.36 Kbytes Page：4 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features ?VDS=-60V,ID=-20A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
SFRU9024	文件：236 Kbytes Page：7 Pages	AvalancheRuggedTechnology FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=-60V ●LowerRDS(ON):0.206?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SFRU9024	文件：230.51 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SFU9024	文件：345.87 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
SFU9024	文件：938.93 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SFU9024	文件：230.52 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=-60V ●LowerRDS(ON):0.206?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SiHFD9024	文件：1.70966 Mbytes Page：9 Pages	RepetitiveAvalancheRated	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHFR9024	文件：4.49216 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR9024	文件：4.48925 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SiHFR9024	文件：1.1361 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHFR9024	文件：4.48925 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR9024	文件：5.21397 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR9024	文件：1.97285 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHFR9024	文件：1.24375 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Surface-mount(IRFR9024,SiHFR9024) ?Straightlead(IRFU9024,SiHFU9024) ?Availableintapeandreel ?P-channel ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHFR9024T	文件：1.97285 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHFR9024T	文件：5.21397 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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詳細參數(shù)

型號：
S9024R
制造商：
Conxall

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市金芯世紀電子有限公司	S-90250AG-GB-T1	SEIKO/精工	22+	SOT-89	100000	代理渠道/只做原裝/可含稅	詢價
深圳市得捷芯城科技有限公司	S-90250AG-GB-T1	SEIKO/精工	23+	NA/	14435	原廠直銷,現(xiàn)貨供應,賬期支持!	詢價
新曄電子(深圳)有限公司	S9025PLNF	TYCO	2022+2023+	n/a	7	全新、原裝	詢價
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更多S9024R供應商更新時間2024-12-29 11:00:00

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