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SB106P200-W-AG/AL中文資料TEL數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

SB106P200-W-AG/AL
廠商型號(hào)

SB106P200-W-AG/AL

功能描述

Schottky Barrier Diode Wafer 106 Mils, 200 Volt, 10 Amp

文件大小

155.33 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

1 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 TRANSYS Electronics Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

TEL

中文名稱(chēng)

TRANSYS Electronics Limited官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-25 23:00:00

SB106P200-W-AG/AL規(guī)格書(shū)詳情

Features

Oxide Passivated Junction

Low Forward Voltage

150 o C Junction Operating

Low Reverse Leakage

Supplied as Wafers

Platinum Barrier

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SB106P200-W-AG/AL

  • 制造商:

    TRSYS

  • 制造商全稱(chēng):

    Transys Electronics

  • 功能描述:

    Schottky Barrier Diode Wafer 106 Mils, 200 Volt, 10 Amp

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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